[صفحه اصلی ]   [ English ]  
بخش‌های اصلی
صفحه اصلی::
درباره پژوهشکده::
معرفی افراد::
فعالیتهای پژوهشی::
اخبار::
تماس با ما::
تسهیلات پایگاه::
آزمایشگاههای تحقیقاتی::
::
آزمایشگاه پرینتر سه بعدی

AWT IMAGE

..
جستجو در پایگاه

جستجوی پیشرفته
..
منابع علمی

AWT IMAGE

AWT IMAGE

..
پیوند فوری

AWT IMAGE


AWT IMAGE

..
توجه در خصوص اخبار کنفرانسها

توجه

اخبار کنفرانسها صرفا جهت اطلاع رسانی بوده و برگزاری آنها به این پژوهشکده مربوط نمی باشد. لطفا هرگونه سوالی در زمینه کنفرانسها را از سایت مربوطه یا شماره تماسهای ذکر شده در متن خبر پیگیری بفرمایید. با تشکر مدیریت سایت

..
:: گزارش اولین رشد MBE پس از راه اندازی مجدد ::
 | تاریخ ارسال: ۱۳۹۶/۲/۳ | 

انجام اولین رشد MBE بعد از راه اندازی مجدد

در تاریخ 1395/12/11 اولین رشد توسط دستگاه MBE بعد از راه اندازی مجدد انجام شد. در این رشد، حدود 2 میکرو متر InSb  بر روی زیر لایه GaAs(001) Undoped  رشد داده شد.

مشخصه نگاری به 5 طریق زیر انجام شد:

1. RHEED در هنگام رشد توسط سیستم MBE

2. تصویربرداری با SEM

3. آزمایش اثر HALL

4. مشخصه یابی با XRD

5. تصویربرداری با AFM

برای مشاهده گزارش کامل همراه با توضیح و عکسها به فایل PDF زیر مراجعه نمایید.

گزارش اولین رشد MBE بعد از راه اندازی مجدد
 

دفعات مشاهده: 659 بار   |   دفعات چاپ: 82 بار   |   دفعات ارسال به دیگران: 0 بار   |   0 نظر

کد امنیتی را در کادر بنویسید >
   
سایر مطالب این بخش سایر مطالب این بخش نسخه قابل چاپ نسخه قابل چاپ ارسال به دوستان ارسال به دوستان
کلیه حقوق مادی و معنوی این سایت متعلق به پژوهشکده الکترونیک می باشد . نقل هرگونه مطلب با ذکر منبع بلامانع می باشد .