[صفحه اصلی ]   [ English ]  
بخش‌های اصلی
درباره پژوهشکده::
معرفی افراد::
فعالیتهای پژوهشی::
اخبار::
تماس با ما::
تسهیلات پایگاه::
آزمایشگاههای تحقیقاتی::
::
جستجو در پایگاه

جستجوی پیشرفته
..
منابع علمی

AWT IMAGE

AWT IMAGE

..
پیوند فوری

AWT IMAGE

AWT IMAGE
..
توجه در خصوص اخبار کنفرانسها

توجه

اخبار کنفرانسها صرفا جهت اطلاع رسانی بوده و برگزاری آنها به این پژوهشکده مربوط نمی باشد. لطفا هرگونه سوالی در زمینه کنفرانسها را از سایت مربوطه یا شماره تماسهای ذکر شده در متن خبر پیگیری بفرمایید. با تشکر مدیریت سایت

..
:: گروه نیمه هادی ::

  گروه پژوهشی نیمه‌هادی

آزمایشگاه نیمه هادی با برخورداری از سیستم رونشستی با پرتو مولکولی Molecular Beam Epitaxy) MBE) که در خاورمیانه کم نظیر است امکان ارائه خدمات مهمی را در کشور فراهم نموده است.

  - رشد انواع لایه‌های گالیم آرسناید با ضخامتهای مختلف و با ناخالصیهای متفاوت بر روی ویفر

  - رشد لایه‌های مختلف نیمه هادی اعم از همگون و ناهمگون به منظور ساخت ادوات الکترونیکی متفاوت نظیر انواع   ترانزیستورها، دیودها، سنسورها، لیزرها و غیره

  - انجام تحقیقات کاربردی برای بهینه سازی ادوات الکترونیکی

  - طراحی و ساخت انواع آشکارسازها، لیزرها، دیودها و ترانزیستورها

دفعات مشاهده: 16449 بار   |   دفعات چاپ: 1736 بار   |   دفعات ارسال به دیگران: 213 بار   |   0 نظر

CAPTCHA
   
سایر مطالب این بخش سایر مطالب این بخش نسخه قابل چاپ نسخه قابل چاپ ارسال به دوستان ارسال به دوستان
کلیه حقوق مادی و معنوی این سایت متعلق به پژوهشکده الکترونیک می باشد . نقل هرگونه مطلب با ذکر منبع بلامانع می باشد .