گروه پژوهشی نیمه‌هادی

آزمایشگاه نیمه هادی با برخورداری از سیستم رونشستی با پرتو مولکولی Molecular Beam Epitaxy) MBE) که در خاورمیانه کم نظیر است امکان ارائه خدمات مهمی را در کشور فراهم نموده است.

  - رشد انواع لایه‌های گالیم آرسناید با ضخامتهای مختلف و با ناخالصیهای متفاوت بر روی ویفر

  - رشد لایه‌های مختلف نیمه هادی اعم از همگون و ناهمگون به منظور ساخت ادوات الکترونیکی متفاوت نظیر انواع   ترانزیستورها، دیودها، سنسورها، لیزرها و غیره

  - انجام تحقیقات کاربردی برای بهینه سازی ادوات الکترونیکی

  - طراحی و ساخت انواع آشکارسازها، لیزرها، دیودها و ترانزیستورها